Вы не авторизованы...
Вход на сайт
Сегодня 28 марта 2017 года, вторник , 03:22:41 мск
Общество друзей милосердия
Опечатка?Выделите текст мышью и нажмите Ctrl+Enter
 
Контакты Телефон редакции:
+7(495)640-9617

E-mail: nr@oilru.com
 
Сегодня сервер OilRu.com - это более 1264.43 Мб информации:

  • 533373 новостей
  • 5112 статей в 168 выпусках журнала НЕФТЬ РОССИИ
  • 1143 статей в 53 выпусках журнала OIL of RUSSIA
  • 1346 статей в 45 выпусках журнала СОЦИАЛЬНОЕ ПАРТНЕРСТВО
Ресурсы
 

На голодном пайке

 
По информации из Кембриджа
Микросхемотехника устройств со сверхнизким потреблением энергии
27.02.2017

Учёные-исследователи из Кембриджского университета разработали новый тонкоплёночный полевой транзистор, имеющий чрезвычайно низкое энергопотребление. Новинка работает с плотностью тока пикоампер на микрон и меньше и предназначается в первую очередь для приборов носимой электроники с невысоким быстродействием и электронных имплантантов.

Транзистор сформирован на таком необычном полупроводнике, как оксид индия-галлия-цинка. При этом на переходах между полупроводником и металлическими контактами истока и стока имеются барьеры Шоттки.

Обычно инженеры-микросхемотехники стараются избегать барьеров Шоттки, но в данном случае их электрические свойства помогают снизить взаимное влияние электродов и точнее задавать режим транзистора, который в открытом состоянии работает практически на токах утечки, а потому потребляет крайне мало энергии. «Мы бросили вызов традиционным воззрениям на то, как должен быть устроен транзистор, – объясняет один из исследователей, профессор инженерного факультета Кембриджского университета Арокиа Натан. – Мы обнаружили, что барьеры Шоттки в действительности имеют идеальные характеристики для приборов со сверхнизким потреблением энергии, на которые мы нацелились». Кроме того, барьеры Шоттки помогли улучшить масштабируемость технологии, то есть возможность снижать топологические размеры устройств.

По расчётам создателей технологии, энергии, заключённой в щелочной батарейке AA, хватит для питания устройства на новых транзисторах в течение миллиарда лет. Энергопотребление схем на новых транзисторах оказывается настолько малым, что на них можно создавать безбатарейные аналоговые приборы, собирающие энергию электромагнитных волн из пространства или энергию вибрации/движения тела. Транзисторы питаются напряжением менее вольта и отличаются очень большим значением крутизны характеристики. Разработанная для их производства полупроводниковая технология допускает применение только низкотемпературных процессов, чтобы электронные схемы можно было сформировать на поверхности пластика или других материалов, не допускающих сильного нагрева.



0

 

 
Рейтинг@Mail.ru   


© 1998 — 2017, «Нефтяное обозрение (oilru.com)».
Свидетельство о регистрации средства массовой информации Эл № 77-6928
Зарегистрирован Министерством РФ по делам печати, телерадиовещания и средств массовой коммуникаций 23 апреля 2003 г.
Свидетельство о регистрации средства массовой информации Эл № ФС77-51544
Перерегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи и массовых коммуникаций 2 ноября 2012 г.
Все вопросы по функционированию сайта вы можете задать вебмастеру
При цитировании или ином использовании любых материалов ссылка на портал «Нефть России» (http://www.oilru.com/) обязательна.
Точка зрения авторов, статьи которых публикуются на портале oilru.com, может не совпадать с мнением редакции.
Время генерации страницы: 0 сек.

На голодном пайке

По информации из Кембриджа
Микросхемотехника устройств со сверхнизким потреблением энергии
27.02.2017

Учёные-исследователи из Кембриджского университета разработали новый тонкоплёночный полевой транзистор, имеющий чрезвычайно низкое энергопотребление. Новинка работает с плотностью тока пикоампер на микрон и меньше и предназначается в первую очередь для приборов носимой электроники с невысоким быстродействием и электронных имплантантов.

Транзистор сформирован на таком необычном полупроводнике, как оксид индия-галлия-цинка. При этом на переходах между полупроводником и металлическими контактами истока и стока имеются барьеры Шоттки.

Обычно инженеры-микросхемотехники стараются избегать барьеров Шоттки, но в данном случае их электрические свойства помогают снизить взаимное влияние электродов и точнее задавать режим транзистора, который в открытом состоянии работает практически на токах утечки, а потому потребляет крайне мало энергии. «Мы бросили вызов традиционным воззрениям на то, как должен быть устроен транзистор, – объясняет один из исследователей, профессор инженерного факультета Кембриджского университета Арокиа Натан. – Мы обнаружили, что барьеры Шоттки в действительности имеют идеальные характеристики для приборов со сверхнизким потреблением энергии, на которые мы нацелились». Кроме того, барьеры Шоттки помогли улучшить масштабируемость технологии, то есть возможность снижать топологические размеры устройств.

По расчётам создателей технологии, энергии, заключённой в щелочной батарейке AA, хватит для питания устройства на новых транзисторах в течение миллиарда лет. Энергопотребление схем на новых транзисторах оказывается настолько малым, что на них можно создавать безбатарейные аналоговые приборы, собирающие энергию электромагнитных волн из пространства или энергию вибрации/движения тела. Транзисторы питаются напряжением менее вольта и отличаются очень большим значением крутизны характеристики. Разработанная для их производства полупроводниковая технология допускает применение только низкотемпературных процессов, чтобы электронные схемы можно было сформировать на поверхности пластика или других материалов, не допускающих сильного нагрева.



© 1998 — 2017, «Нефтяное обозрение (oilru.com)».
Свидетельство о регистрации средства массовой информации Эл № 77-6928
Зарегистрирован Министерством РФ по делам печати, телерадиовещания и средств массовой коммуникаций 23 апреля 2003 г.
Свидетельство о регистрации средства массовой информации Эл № ФС77-33815
Перерегистрировано Федеральной службой по надзору в сфере связи и массовых коммуникаций 24 октября 2008 г.
При цитировании или ином использовании любых материалов ссылка на портал «Нефть России» (http://www.oilru.com/) обязательна.
Добро пожаловать на информационно-аналитический портал "Нефть России".
 
Для того, чтобы воспользоваться услугами портала, необходимо авторизоваться или пройти несложную процедуру регистрации. Если вы забыли свой пароль - создайте новый.
 
АВТОРИЗАЦИЯ
 
Введите Ваш логин:

 
Введите Ваш пароль: